리소그래피와 패턴 전사

트랜지스터가 아닌 패턴을 비추다.

레티클에 담긴 패턴을 광학계가 웨이퍼의 감광성 레지스트 위로 투영합니다. 노광은 레지스트의 화학적 성질을 바꾸며, 동작하는 소자를 즉시 만들지는 않습니다.

임시 안내막이 드러나다.

필요한 처리와 현상을 거치면 선택된 레지스트가 패턴으로 남습니다. DUV는 굴절 렌즈를, EUV는 고진공 속 반사 마스크와 반사경을 사용합니다. 광학계 보기를 바꿔 그 차이를 확인하세요.

다음 공정으로 형태를 옮기다.

현상된 레지스트는 식각 같은 공정의 안내막이 됩니다. 후속 단계에서 필요한 구조를 옮기거나 만들고 임시 재료를 제거합니다. 한 칩의 여러 층에는 EUV와 DUV가 함께 쓰일 수 있습니다. 모든 층에 EUV가 필요한 것은 아닙니다.

기술적 맥락

설계 정보는 리소그래피를 통해 웨이퍼 위의 패턴으로 옮겨집니다. 레티클이 패턴을 제공하고 광학계가 이를 감광성 레지스트 위에 투영합니다. DUV는 렌즈를 쓰고 EUV는 진공 속 반사경을 씁니다. 노광된 레지스트는 이후 공정을 위한 임시 안내막일 뿐이므로, 한 번의 빛 노출로 완성된 트랜지스터가 생기지는 않습니다.

• A reticle carries a pattern; lithography projects and reduces that pattern onto a photoresist-coated wafer, where exposure changes the resist chemically.
• DUV systems use refractive lenses. EUV systems use multilayer reflective mirrors because EUV is absorbed by ordinary materials, and the EUV optical path is kept in high vacuum.
• EUV and DUV can both be used in a chip's layer stack; ASML states EUV is used for intricate layers while other layers use various DUV systems.

출처

Lenses & Mirrors — Lithography Principles ↗ · ASML

EUV Lithography Systems ↗ · ASML